IDENTIFICAÇÃO DO DISJUNTOR
RTD - 260362-1/2/3.7
Parâmetros das fórmulas de Trip (Overload, Short Circuit, Instantaneous)
| DADOS AQUI | |
|---|---|
| In (A): | |
| Ir (x): | |
| tr (s): | |
| Isd (x): | |
| tsd (s): | |
| I²t (ON/OFF): | |
| Ii (x): |
|
RESULTADO NO RELATÓRIO:
L = OVERLOAD:
Ir = 1 x In = 2.500A / tr = 1s (6xIr)
S = SELECT. SHORT:
Isd = 1.5 x Ir = 3.750A / tsd = 0.3s (ON)
I = INSTANT. SHORT:
Ii = 2 x In = 5.000A
CORRENTE NOMINAL:
In = 2.500A
ENSAIOS DE ISOLAÇÃO (MEGGER) & RESISTÊNCIA (MICRO-OHMS)
ISOLATION (500Vcc)
MICRO-OHMS (Resistência de Contato µΩ)
Média Calculada:
14.0 µΩ
✅ CONFORME (≤ 40µΩ)
EVIDÊNCIAS FOTOGRÁFICAS (OS 4 QUADRADOS DA PÁGINA 4)
4/4 Fotos
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1. BREAKER
Foto do Disjuntor
2. ELECTRICAL INSULATION RESISTANCE TEST
Foto Ensaio Megger
3. CIRCUIT BREAKER TRIP TEST
Foto Maleta de Teste Trip
4. TEST WITH MICRO-OHMMETER (KELVIN DIGITAL BRIDGE)
Foto Micro-Ohmímetro
5. VALIDAÇÃO TÉCNICA NORMATIVA & EMISSÃO DE PDF
5/5
PADRÃO TÉCNICO CONFORME
Fórmulas e limites normativos ABNT NBR IEC 60947-2 e IEEE Std 43 atendidos
Identificação & Tag: Referência e Número de Série cadastrados
Parâmetros de Proteção: Ir ≤ 1.0xIn e Isd ≥ Ir (Fórmulas Validadas)
Isolação (Megger): 6 fases registradas ≥ 100 MΩ (Norma IEC 60947-2)
Resistência de Contato: Média ≤ 60 µΩ e Desvio ≤ 20%
Evidências Fotográficas: 4 fotos do workshop anexadas
